太阳、非晶硅、薄膜、光伏、薄膜非晶硅、非晶硅薄膜、太阳能板、太阳能模块、太阳能系统、光伏系统

制程介绍

APCVD沈积TO膜

TO：
APCVD：
常压化学气相沈积（Atmospheric Pressure CVD）。在常压下，以高温（400-600℃）提供能量进行CVD反应。
二氧化锡（Tin Oxide），透明导电氧化物的一种。在此作为前电极，因此高透光率为重要特性。
常用原料：
I gas（SiH4）、液氧、冷媒、SnCl4、氮气。

PECVD沈积a-Si膜

A-Si：
PECVD：
电浆辅助化学气相沈积（Plasma Enhanced CVD）。在真空下以电浆提供能量进行CVD反应，有助于降低反应温度（100-400℃）
非晶硅（Amorphous Silicon），为硅的一种形态，原子成混乱排列，但对光有较佳吸收率是其特点，在太阳能电池中为主要的发电层。
常用原料：
P ga、I gas、N gas、CH4、氢气、Ar

Sputter/metallizer沈积铝

Ｍetallizer：
Sputter：
溅镀，在两相对金属电极板之间制造电浆并加以电场，使电浆中的带能粒子撞击靶材表面进而撞出靶材原子，靶材原子经过传送最后沈积在基板表面。
热蒸镀（Thermal evaporation），在真空下，将所要蒸镀的材料利用电阻加热使原子蒸发，进而到达并沈积在基材表面。
常用原料：
铝钉、铝靶材、Ar