大豐能源、太陽、非晶矽、薄膜、光伏、薄膜非晶矽、非晶矽薄膜、太陽能板、太陽能模組、太陽能系統、光伏系統

製程介紹

APCVD沈積TO膜

TO：
APCVD：
常壓化學氣相沈積（Atmospheric Pressure CVD）。在常壓下，以高溫（400-600℃）提供能量進行CVD反應。
二氧化錫（Tin Oxide），透明導電氧化物的一種。在此作為前電極，因此高透光率為重要特性。
常用原料：
I gas（SiH4）、液氧、冷媒、SnCl4、氮氣。

PECVD沈積a-Si膜

A-Si：
PECVD：
電漿輔助化學氣相沈積（Plasma Enhanced CVD）。在真空下以電漿提供能量進行CVD反應，有助於降低反應溫度（100-400℃）
非晶矽（Amorphous Silicon），為矽的一種形態，原子成混亂排列，但對光有較佳吸收率是其特點，在太陽能電池中為主要的發電層。
常用原料：
P ga、I gas、N gas、CH4、氫氣、Ar

Sputter/metallizer沈積鋁

Ｍetallizer：
Sputter：
濺鍍，在兩相對金屬電極板之間製造電漿並加以電場，使電漿中的帶能粒子撞擊靶材表面進而撞出靶材原子，靶材原子經過傳送最後沈積在基板表面。
熱蒸鍍（Thermal evaporation），在真空下，將所要蒸鍍的材料利用電阻加熱使原子蒸發，進而到達並沈積在基材表面。
常用原料：
鋁釘、鋁靶材、Ar